石川県 フレックス勤務のITエンジニア求人・転職情報

東芝デバイス&ストレージ株式会社

デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6～8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。 ・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TCAD) 1プロダクト2～3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。 パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発～量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。 ●業務の変更範囲:会社の指示する業務

東芝デバイス&ストレージ株式会社

MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発を進めていただきます。 各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。 各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。 ●業務の変更範囲:会社の指示する業務

東芝デバイス&ストレージ株式会社

・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 ●業務の変更範囲:会社の指示する業務

東芝デバイス&ストレージ株式会社

業務内容 デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6～8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。 ・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TCAD) 1プロダクト2～3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。 パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発～量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。